催化事件：工信部官方文件披露國產(chǎn)ArF光刻機進入推廣應(yīng)用階段。
9月9日，工信部公布《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》，其中集成電路生產(chǎn)裝備章節(jié)列示了氟化氪(KrF)光刻機、氟化氬(ArF)光刻機兩項，意味著國產(chǎn)KrF、ArF光刻機已完成首臺生產(chǎn)、進入推廣應(yīng)用階段。

一、國產(chǎn)ArF光刻機對應(yīng)制程≤65nm，干式DUV光刻機

根據(jù)工信部文件所示的核心技術(shù)指標(biāo)，該ArF光刻機分辨率≤65nm，即對應(yīng)單次曝光關(guān)鍵尺寸≤65nm(通俗稱即為制程≤65nm)，預(yù)計為數(shù)值孔徑(NA)相對較低的干式ArF光刻機。
2018年3月上海微電子的干式ArF光刻機SSA600通過驗收，SSA600最高可滿足12寸線90nm光刻工藝需求，工信部列示的 ArF光刻機與SSA600均為干式+ArF光源，但制程更先進，預(yù)計因數(shù)值孔徑有所增加、但仍有較大提升空間。

二、列示ArF光刻機套刻精度≤8nm，尚有提升空間

根據(jù)工信部文件所示的核心技術(shù)指標(biāo)，該ArF光刻機套刻精度≤8nm，作為對標(biāo)，當(dāng)前ASML生產(chǎn)的干式ArF光刻機主力機型NXT:1470，其分辨率≤57nm、套刻精度≤4.5nm。
套刻精度即多次光刻的圖案層之間的對齊精度，多重曝光工藝對套刻精度的要求更高，預(yù)計工信部列示的ArF光刻機尚需提升套刻精度才能滿足多重曝光工藝。

三、國產(chǎn)光刻機及光刻工藝技術(shù)持續(xù)進展，信息部分公開提振市場信心

此前國產(chǎn)光刻機相關(guān)公開信息較少，保密程度高，而2024年以來，3月22日華為公開四重曝光工藝技術(shù)改進優(yōu)化的專利，6月20日工信部發(fā)布《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》公示稿(后于9月9日正式發(fā)布)，9月10日上海微電子公開“極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備”的專利，國內(nèi)光刻設(shè)備及曝光工藝公開信息增多，有助于提振市場信心。

四、指導(dǎo)目錄亦列示涂膠顯影、CMP、量測等半導(dǎo)體設(shè)備

工信部在推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄中，列舉了涂膠顯影機(工藝節(jié)點等于或優(yōu)于28nm)、化學(xué)機械拋光機(工藝節(jié)點等于或優(yōu)于14nm)、光學(xué)線寬量測裝備等，其余亦包含濕法清洗、氧化爐、離子注入等環(huán)節(jié)裝備，當(dāng)前國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備多領(lǐng)域處于研發(fā)突破關(guān)鍵階段，短板領(lǐng)域未來有望加速補齊，助力先進制程產(chǎn)線國產(chǎn)化率進一步提升。

五、投資分析意見：

官方披露核心設(shè)備進展提振市場信心，國產(chǎn)光刻機相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈受益，國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)自主可控可期，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備整體受益。

國產(chǎn)光刻機相關(guān)標(biāo)的:茂萊光學(xué)，波長光電，炬光科技，福晶科技;

半導(dǎo)體設(shè)備公司:中微不司(刻蝕、薄膜沉積等)，北方華創(chuàng)(薄膜沉積、刻蝕、清洗設(shè)備、氧化爐等)，中科飛測、精測電子(前道檢測量測設(shè)備)，拓荊科技(薄膜沉積、鍵合設(shè)備等)，芯源微(涂膠顯影、清洗設(shè)備等)。

栗智（執(zhí)業(yè)編號：A0380623120005）簡介：

頂點財經(jīng)首席投顧，廈門大學(xué)管理學(xué)學(xué)士，擁有十余年投資經(jīng)驗，獨創(chuàng)《智富尋龍術(shù)》，以“資金觀天象，邏輯尋龍脈，量價定龍頭”的尋龍訣，從容把握成長型黑龍、題材型白龍和情緒型紅龍的騰飛機遇。

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